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https://www.youtube.com/watch?v=4Y7PK-vkK7o&t=1927s재 HBM의 문제점HBM은 GPU에 직접 부착되기 때문에 HBM에서 불량이 발생하면 고가의 GPU까지 함께 폐기해야 하는 문제가 있습니다 [02:03:35]. 이로 인해 상당한 재정적 손실이 발생합니다 [02:04:48]. 특히 HBM4와 같은 최신 제품은 미세한 TSV(실리콘 관통 전극) 구멍이 2048개나 있어, 이 구멍들이 막히거나 합선되는 등의 문제로 인해 불량이 자주 발생합니다 [02:22:15]. 현재 HBM의 수율은 30%에서 70% 사이로 추정됩니다 [02:10:48].수율 개선을 위한 새로운 기술이 문제를 해결하기 위해 제시된 새로운 기술은 고장 난 메모리 채널을 우회하는 방식을 사용합니다. 기존에..

퀄컴이 차세대 스냅드래곤 8 Gen 5 애플리케이션 프로세서(AP) 생산을 위해 TSMC와 삼성 파운드리 양측과 2나노미터(nm) 칩 프로토타입 협의를 진행하고 있다는 소식은 반도체 산업의 중요한 전환점을 시사합니다. 이는 단순히 기술적 진보를 넘어, 퀄컴이 공급망 다각화를 통해 지정학적 위험에 대비하고 미래 기술 경쟁에서 우위를 확보하려는 전략적 움직임으로 해석됩니다.현재 파운드리 시장은 TSMC가 선두를 달리고 있으며, 삼성 파운드리는 게이트-올-어라운드(GAA) 기술의 수율 개선을 통해 그 격차를 좁히기 위해 노력하고 있습니다. 2nm 공정은 트랜지스터 밀도, 성능, 전력 효율성 측면에서 상당한 진전을 의미하지만, 동시에 천문학적인 비용과 복잡한 기술적 난관이 수반됩니다. 본 보고서는 이러한 2nm..

삼성전자의 하이브리드 본딩 도입은 반도체 산업의 미래를 형성하는 데 있어 중요한 의미를 가집니다.첨단 패키징 전략의 선두 주자: 삼성은 TSMC, 인텔과 함께 하이브리드 본딩을 진보적인 패키징 전략과 결합하는 최첨단 기술을 선보이는 선두 기업 중 하나입니다. 이는 삼성이 단순한 기술 채택을 넘어, 차세대 반도체 솔루션 개발을 주도하고 있음을 보여줍니다. 메모리 및 로직 통합 가속화: 삼성은 XCube 및 Saint 플랫폼 모두에 하이브리드 본딩을 채택할 예정입니다. 특히 XCube 플랫폼에서는 메모리-메모리 및 로직-메모리 스태킹에 이 기술을 적용하며, 4µm 미만의 초미세 피치 Cu-Cu 연결을 개발하고 있습니다. 이는 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 인공지능(AI) 애플리케이션에 필수적인 고밀도, 고..

하이브리드 본딩은 반도체 패키징 분야의 핵심적인 진전으로, 기존 마이크로 범프 기술을 넘어 초고밀도 3D 통합을 가능하게 합니다. 이 기술은 구리(Cu)와 이산화규소(SiO2) 표면을 직접 접합하는 방식으로, 차세대 장치에 필수적인 초미세 상호연결 피치(10 µm 미만, 궁극적으로 서브마이크론 수준)를 구현합니다. 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI), 첨단 모바일 장치에서 요구되는 성능 향상, 통합 밀도 증가, 전력 소비 감소, 소형화는 하이브리드 본딩 채택의 주요 동인입니다. 현재 웨이퍼-투-웨이퍼(W2W) 본딩은 CMOS 이미지 센서(CIS) 및 3D NAND 분야에서 광범위하게 채택되어 성숙 단계에 있습니다. 반면, 다이-투-웨이퍼(D2W) 본딩은 SoIC(System-on-I..

1. 주요 업체별 12단 HBM 개발 및 양산 현황SK하이닉스: SK하이닉스는 HBM 분야의 선두주자로, 2022년 세계 최초로 HBM3 양산을 시작했고, 2023년 4월에는 업계 최초로 12단 적층의 24GB HBM3 개발에 성공하여 샘플을 고객사에 제공했습니다news.skhynix.comnews.skhynix.com. 이 12-Hi HBM3는 기존 8단 제품(16GB)의 적층 높이를 유지하면서 용량을 50% 늘린 혁신으로, 6만 개 이상의 TSV 접속을 구현해야 하는 난제를 극복했습니다tomshardware.comsemiconductor.samsung.com. SK하이닉스는 2023년 하반기부터 해당 24GB HBM3를 본격 양산해 NVIDIA 등에 공급하였고, 2024년 9월에는 세계 최초로 12단..

기술적 의미: 12단 HBM의 도전과 성과 삼성전자가 개발한 업계 최초 12단 적층 HBM3E D램(36GB) 패키지. 삼성전자가 엔비디아의 검증을 받은 12단 적층 HBM(고대역폭메모리) 제품은 현존 최고 수준의 기술 집약체로 평가됩니다. 무엇보다 12개의 D램 칩을 쌓아 올린 적층 설계는 종전 8단 적층 대비 설계·제조 난이도가 비약적으로 높습니다. 삼성은 24Gb 용량의 D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 수직 연결하여 업계 최대 용량 36GB의 HBM3E를 구현했다고 밝혔습니다ceoscoredaily.com. 이를 통해 용량과 대역폭을 각각 50% 이상 향상시켜 초당 최대 1,280GB/s의 압도적 데이터 대역폭을 달성했는데, 이는 이전 세대 8단 HBM3 대비 성능과 용량 ..

기술 개발 현황 및 최근 진척도화웨이는 기존 TSMC 의존에서 벗어나 자국 파운드리를 활용한 칩 개발에 집중하고 있다. 대표적으로 2023년 출시된 Kirin 9000S 칩은 SMIC의 7nm급(N+2) 공정으로 제조되었고, ARM 기반의 Taishan V120 코어를 탑재해 성능과 에너지 효율을 높였다tomshardware.comtomshardware.com. 이후 2024년 Mate70 Pro에 탑재된 Kirin 9020도 같은 7nm 공정으로 제작되었으며, 이전 대비 다이 면적을 15% 확대해 전력/성능 특성을 개선했다tomshardware.com. 최근에는 자사 개발 5nm 공정 칩인 Kirin X90을 적용한 노트북도 출시되었는데, 이 칩 역시 중국 1위 파운드리인 SMIC가 생산을 담당하고 있..

반도체 제조에는 여러 핵심 광물 및 소재들이 사용되며, 이들의 안정적인 공급은 반도체 산업에 매우 중요합니다. 아래에서는 대표적인 광물들의 종류와 용도, 생산 현황과 시장 점유율, 특정 국가/기업 의존도, 공급망 리스크, 그리고 최신 수급·가격 동향을 정리합니다.1. 주요 광물 종류 및 용도반도체 생산에 많이 활용되는 주요 광물과 그 주요 용도는 다음과 같습니다:광물주요 용도 (반도체 공정 및 부품)실리콘 (Si)반도체 웨이퍼 기판 소재. 대부분의 집적회로(IC)가 실리콘 웨이퍼 위에서 제조됨. 석영(이산화규소) 모래를 정제해 얻는 폴리실리콘을 잉곳/웨이퍼로 가공하여 사용thelec.kr. 실리콘은 반도체의 기본 재료로, 트랜지스터 채널 형성 등에 이용됨. 또한 태양전지, 센서 등에도 쓰임.갈륨 (Ga)..